气敏电阻是一种将检测到的气体的成分和浓度转换为电信号的传感器，它是利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成的，主要成分是金属氧化物。 它的主要品种有：金属氧化物气敏电阻， 复合氧化物气敏电阻，陶瓷气敏电阻等。
磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。 当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值相应改变[2]，利用该变化，可精确地测试出磁场的相对位移。例如，在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。
霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。
音叉液位开关是物位控制开关的一种。
音叉料位开关的工作原理是通过安装在音叉基座上的一对压电晶体使音叉在一定共振频率下振动。当音叉料位开关的音叉与被测介质相接触时，音叉的频率和振幅将改变，音叉料位开关的这些变化由智能电路来进行检测，处理并将之转换为一个开关信号。
射频导纳料位开关，即射频导纳物位计，也常称作是射频导纳开关。
当在接收器同一平面出现吸收微波的物料时，微波束将不能到达接收器，因而接收器将不能侦测到微波束。当接收器端侦测到微波束，状态改变时将会触发继电器动作。
多联开关是控制照明的新一代开关，主要应用于家居、会所、酒店、办公场所。
118型墙壁开关插座是一种结构简单，应用十分广泛的电器开关。是一种能随意组合，极具装饰效果的墙壁开关。 118型开关插座外观是长条形的，分大、中、小型号，其功能件（开关、插座、电话、电视、电脑）与面板可以随意组合。
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"，是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，可用于调谐电路。
光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
光电三极管也是一种晶体管，它有三个电极。当光照强弱变化时，电极之间的电阻会随之变化。
名称：双向可控硅 控制方式：双向 极数：三极 封装材料：金属封装 封装外形：平板形 关断速度：高频（快速） 散热功能：带散热片 频率特性：高频 功率特性：中功率
IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。 TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
KBU808整流桥作为一种功率元器件，广泛应用于多种电子设备。其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。
LM338是大电流可调集成稳压器，输出电流为5A，可调输出范围1.25V—25V。
LM2576系列是美国国家半导体公司生产的3A电流输出降压开关型集成稳压电路，它内含固定频率振荡器(52kHz)和基准稳压器(1.23V)，并具 有完善的保护电路，包括电流限制及热关断电路等，利用该器件只需极少的外围器件便可构成高效稳压电路。
三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
开关三极管（Switch transistor）的外形与普通三极管外形相同，它工作于截止区和饱和区，相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用，被广泛应用于各种开关电路中，如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等。
可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。 单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
