1 技术参数
晶圆硅片测试尺寸:50mm-300mm.
厚度测试范围:1000um,可扩展到1700um.
厚度测试精度:+/-0.25um
厚度重复性精度:0.050um
TTV测试精度:+/-0.05um
TTV重复性精度:0.050um
弯曲度测试范围:+/-500um[+/-850um]
弯曲度测试精度:+/-2.0um
弯曲度重复性精度:0.750um
晶圆硅片导电型号:P或N型
材料:Si,GaAs,InP,Ge等几乎所有半导体材料
可用在:切片后、磨片前、后,蚀刻,抛光以及出厂、入厂质量检测等
平面/缺口:所有的半导体标准平面或缺口
硅片安装:裸片,蓝宝石/石英基底,黏胶带
连续5点测量
2 仪器特点
无接触测量
适用的晶圆材料包括Si,GaAs,InP,Ge等几乎所有的材料
厚度和 TTV 测量采用无接触电容法探头
高分辨率液晶屏显示厚度和 TTV 值
性价比高
菜单式快速方便设置
高分辨率液晶 LCD 显示
提供和计算机连接的输出端口
提供打印机端口
便携且易于安装
为晶圆硅片关键生产工艺提供精确的无接触测量
高质量微处理器为精确和重复精度高的测量提供强力保障
高质量 聚四氟乙烯晶圆测试架,为晶圆硅片精确定位提供保障