IRF640编辑

日期:2020-01-09     浏览:210    
0IRF640简介
IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
外文名
IRF640
优    点
转换快速、坚固耐用等
电    压
200V
功    率
150W
适用于
功耗在50W左右
功    耗
150W
1IRF640基本参数
IRF640,采用TO-220AB 封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:18A
电流, Idm 脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
 
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