编辑11概述
22 硅基肖特基势垒二极管结构
MBR1045、HBR10100A是单外延保护环结终端肖特基势垒二极管(简称S-SBD)。MBR1045、HBR10100A的肖特基金属分别为Ni和Ti。MBR1045、HBR10100A 的主要工艺流程为外延片→场氧化→P保护环光刻→P保护环腐蚀→P注入→P推结→肖特基接触形成→欧姆接触形成。其中注入工艺中的注入剂量和能量分别是 1×10cm，60keV。P推结是利用限定源扩散工艺实现的，表面浓度大约在1×1019cm。
33 硅基肖特基势垒二极管特性
