1、击穿电压VDSS 测量范围： 0―1999V， 精度：≤2.5[%] 。

2、IDSS 可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。

3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0―10V。 精度：≤5[%] 。

4、Gfs 跨导测试电流Idm：不小于1―50 A 连续可调， 精度：≤10 [%] 。

5、Gfs 跨导测试范围：1―100 。

6、电源电压：AC220V，50HZ， 功率：≤30W。

7、工作环境：0―40°C ， 相对湿度：≯85[%] 。

8、外形尺寸：280×230×130mm 。

9、重量：约3 Kg 。

1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs 的测试。

2、IGBT 的击穿电压V(BR)CES、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs 的测试。

3、功率场效应管和IGBT 在50A 以下大电流状态下一致性的测试，可用于配对。

4、其它更大电流的功率场效应管及IGBT 在50A 电流条件下的测试。

5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。

6、压敏电阻电压的测试等。

打开电源开关前应检查：Idm开关和高压开关应拨在OFF 位置上。

1、塑封功率场效应管的测试： 按第五条：“测试盒和附加测试线”的说明，连接好场效应管专用测试盒和专用的两根粗的附加测试线。

(1)、击穿电压 VDSS 和栅极开启电压 VGS（th)的测量：先根据被测管测量 VDSS 和 VGS （th)的技术条件，选择好Idss 开关上的电流值（在不知道测试条件时一般是MOS 功率场效应管选择250uA，IGBT 选择1mA）。把高压开关拨至ON，先调节“高压调节”电位器使数字表显示在大于被测器件击穿电压的 130[%]-150[%]左右，测试时只要击穿指示灯亮了就说明电压已经够了，反之则再调高一些也无仿，注意：调好后必须把“高压”开关关断（OFF 位置上）。

把被测的场效应管插入VDSS /VGS（th)测试座（注意：不管是TO-220 或TO-3P 封装的，都必须把中间的D 极对应的插入插座中间孔“D”中）。若先测VDSS 则先把测试盒右测开关拨至 VDSS 位，然后按下仪器右下方的 VDSS 按钮，电压表立即显示该被测管的击穿电压值。再把测试盒开关拨至VGS(th)位,按下仪器右下方的VGS(th)按钮，电压表立即显示该被测管的栅极开启电压值，一般在2 - 6V 范围内。

例：IRFZ44N测试VDSS 和VGS(th)时的Idss 电流要求为250uA，所以把Idss 开关拨至250uA, 把测试盒开关拨至VDSS，按下VDSS 测量按钮，电压表显示为60V，再把测试盒开关拨至 VGS(th)，按下VGS(th)测量按钮，电压表显示为2.5V。 测试结果为：击穿电压VDSS = 60V，栅极开启电压VDS(th) = 2.5V 。

(2)、跨导Gfs 的测试：测试跨导Gfs 时必须使用两根粗的附加测试线，并根据第五条第3 点的要求连接好，测试前仪器右上角的Idm开关必须先拨在OFF 上。 插上被侧管，并把S2 线的鳄鱼夹头，夹住被测管的S1 脚根部（注意：不要和D 极短路）。把Idm开关拨至ON，会看到短路指示灯亮后即灭，机内的蜂鸣器响后又停，属正常现象。 先后调节脉冲电流Idm1 粗调和细调电位器，至被测场效应管测试Gfs 参数时的电流值，当数字基本稳定后按下脉冲电流 Idm2 测试按钮，并读取电流值。（部分常用功率场效应管的测试参数请参照后面的参数表）

本仪器跨导Gfs 的计算方法：S = （Idm2 - Idm1）×10，一般用心算即可读取。

例：IRFZ44N 测试跨导时的标准电流要求为25A，则粗细调节Idm1 为25.0A，当按下Idm2 按钮时电流显示为27.3A，则该管的跨导S = （27.3 - 25.0）×10 = 23 。 测试完毕后必须先把Idm开关关断（拨至OFF）方可更换另一管子。 正宗某一品牌公司生产的同一型号同一批次的管子，其跨导参数的离散性一般较小，测试时用抽检方式即可。

(3)、大电流条件下 ID 一致性测试（即配对）：该方法主要用于一批同型号同品牌的场效应管，在栅压不变的条件下，测试其大电流ID 的一致性。 由于功率场效应管在同一栅压条件下输出的ID 值往往有很大的离散性，即使是同一公司生产的同批次管子也不能保证其 ID 完全的一致，对于不同公司生产的同一型号管子其 ID 的差别有时候会相差很大，所以大电流条件下ID 一致性测试，是用于多个并联应用或推挽应用电路中很重要的一步。（测试操作方法同跨导测试法的Idm1 电流测量）。 一致性测试前请先选择好参考样管。

2、塑封功率IGBT 管的测试： 塑封功率IGBT 管的测试方法完全和测试功率场效应管相同，所不同的仅是引出脚的名称和被测参数的符号有区别。

（ 功率场效应管 ） （IGBT 管） 漏源击穿电压：VDSS 集发击穿电压： V(BR)CES 栅极开启电压：VGS(th) 栅极开启电压： VGE(th) 漏源漏电流：Idss 集发漏电流：Ices 漏极电流：ID 集电极电流：IC 跨导：Gfs 跨导：Gfs 漏极：D 集电极：C 栅极：G 栅极：G 源 极 ： S 发射极：E

3、其它封装形式的功率场效应管及IGBT 管的测试： 本仪器提供的测试盒主要用于TO-126、TO-220、TO-3P 等同类封装形式的场效应管和IGBT 管的测试用，对于非上述封装形式的器件（包括模块型），本仪器提供有测试线，也同样可以进行参数的测量,具体的连接方法请参照“测试线测量法连接图”。

4、其它更大标称电流和功率的场效应管及IGBT 的测试： 虽然本仪器对器件的标称电流和功率的测量范围界定在约85A/300W以内，那是根据器件厂家在技术条件上所规定的测量要求而已，实际上当你所使用的器件超出本仪器的界定范围以外时，仪器同样可以进行Idm=50A 的条件下测试跨导参数，同样可以测量VDSS 和Vgs(th)。

5、各类晶体三极管、二极管击穿电压的测试，稳压管、压敏电阻电压的测试等： 测量各类晶体三极管、二极管的击穿电压，稳压管、压敏电阻电压时的方法请看“测试线测量法”附图即可。